材料学院刘新科博士研究成果被Semiconductor Today专题报道
发布时间:2017-03-03

    近日,材料学院刘新科博士的高压氮化镓肖特基二极管的研究成果被Semiconductor Today专题报道。文章指出相比较在蓝宝石衬底或硅基衬底上异质外延的氮化镓材料,在自支撑(free-standing)氮化镓衬底上同质外延的氮化镓材料具有无法比拟的突出特点,即材料缺陷密度超低(105-106 cm-2),相比异质氮化镓外延材料(1010-1012cm-2)。具有超低材料缺陷密度的自支撑氮化镓可以提高其器件的可靠性。因此,自支撑氮化镓电力电子器件,被认为是继硅基功率器件后,可应用于下一代电力转化系统(DC/DC,DC/AC,AC/DC)的关键元器件。另外,刘博士在高压氮化镓肖特基二极管主张开展无金的硅基CMOS兼容的材料和工艺的特色研究,因为金元素在硅基材料中是电子捕获复合的深能级缺陷,不利于将来采用硅基代工厂来实现氮化镓器件的量产。该研究得到了国家自然科学基金,深圳市基础研究布局的多项资金支持。

    Semiconductor Today是总部位于英国具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志,专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态,具有很强的行业影响力。

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