光电工程学院彭争春教授团队在《Advanced Science》发表论文
发布时间:2017-04-19

近期我校光电工程学院彭争春教授柔性电子及纳米传感器团队在Wiley出版社旗下Advanced Science期刊上发表了一篇题为“Black Phosphorus Quantum Dots with Tunable Memory Properties and Multilevel Resistive Switching Characteristics”的文章。光电工程学院韩素婷副教授为论文的第一作者,合作导师彭争春教授为主要通讯作者。光电工程学院先进激光技术实验室胡亮博士后为共同第一作者,合作导师曾昱嘉教授为共同通讯作者,深圳大学为论文的第一作者和通讯作者单位。

该文报道了基于黑磷量子点的高性能非易失性存储器的制备方法。黑磷具有类似于石墨烯的片层状结构,其带隙恰好处于零带隙的石墨烯和过渡族金属二硫属化物之间,填补了其它二维材料难以满足的空白。此外,由于边缘效应和量子效应,超小的黑磷量子点呈现出优于其它二维层状材料的独特光学性能和电学性能。通过将溶液法制备出的黑磷量子点夹在两层有机聚合物PMMA层中,该团队制备出的RRAM电流开关比可达到3.0×107,远高于文献中报导的基于其它二维材料的RRAM开关比。研究人员揭示了该器件的电阻转变机制,建立了电阻式随机存储器的新存储机理。而且通过改变黑磷量子点层的厚度可改变捕获位点数量以及充电/放电能量,从而实现器件的SET电压及开关电流比的有效调控。研究人员进一步发现该器件具有原位控制SET电压的性能,并在该器件上实现了四级数据存储的功能。

该研究工作得到国家自然科学基金面上项目、青年基金,中组部千人计划青年人才项目,广东省教育厅青年创新人才项目等的资助。

文章链接:

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/advs.201600435/full