近年来，硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维独特结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势，在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。尽管Sb2Se3薄膜太阳电池在环境友好方面具有优胜之处，但和CIGS薄膜太阳电池性能相比还有很大差距，整体表现为电池开路电压亏损偏高。
近日，深圳大学物理与光电工程学院范平教授团队梁广兴研究员在新型硒化锑薄膜太阳电池研究中获得重要进展，在国际材料和物理应用领域顶级期刊Advanced Materials（影响因子：32.086）上发表了题为“Heterojunction Annealing Enabling Record Open-Circuit Voltage in Antimony Triselenide Solar Cells”的研究论文。该论文采用与产业兼容性高的真空溅射结合硒化热处理生长高质量光吸收层Sb2Se3薄膜并构建Mo/ Sb2Se3/CdS/ITO/Ag平面异质结薄膜太阳电池，对Sb2Se3/CdS异质结进行快速热处理，实现元素有益扩散，材料掺杂浓度明显提高、优化Spike-like能带匹配、有效钝化界面缺陷和非辐射复合得到抑制，最终硒化锑薄膜太阳电池开路电压突破500 mV至520 mV且光电转化效率提升至8.64%。梁广兴研究员为论文的通讯作者，唐戎副研究员和陈烁副研究员为论文的共同第一作者，深圳大学为唯一通讯单位。
硒化锑薄膜太阳电池异质结调控和性能优化
项目支持：感谢国家自然科学基金面上项目，广东省教育厅重点项目，广东省自然科学基金面上项目，深圳市自由探索项目和深圳大学荔园优青项目支持。
文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adma.202109078
（物理与光电工程学院 供稿）
